Summary Of Special Properties Of Silicon Carbide

Silicijan karbid je jedini binarni spoj u Si i C binarnom sistemu. Njegov atomski omjer je 1:1. U slijedećem se uglavnom objašnjavaju karakteristike silicija karbita.

1. ima dobru stabilnost.

Vrenje u HCl, H2SO4 i HF također nije napadnuto. SIC ne reagira sa silicinom kiselinom na visokoj temperaturi, pa ima dobru otpornost na kiselu šljagu. SiC i limuzina počinju reagirati na 525 stepeni, a reakcija je izvanredna na oko 1000 stepeni, a reakcija s bakra oksidom je snažno izvedena na 800 stepeni. . Reagira sa gvozdenim oksidom na 1000-1200 stepeni, i ima očiglednu reakciju pucanja na 1300 stepeni. Reakcija sa mangan oksidom počinje od 1360 stepeni do reakcije pucanja. U hloru, SiC počinje reagirati s njim od 600 stupnjeva, i može se razdvojiti u SiCl4 i CCl4 na 1200 stepeni. Rastopljene alkalije mogu da raspadnu SIC kada se zagruju.

2. Dobra antioksidacija

Silicijum karbide ima dobru oksidacijsku otpornost na sobnoj temperaturi, a zaostatak Si, C i gvozdeni oksid tokom sinteze SIC-a imaju uticaj na stepen oksidacije SIC-a. Čisti SIC se može sigurno koristiti na temperaturama do 1500 stepeni u zajedničkoj oksidacijnoj atmosferi, dok će silicijan karbid koji sadrži neke nečistoće oksidirati na 1220 stepeni.

3. Dobar otpor toplotnog šoka.

Pošto se silicijum karbid ne topi i raspada na visoku temperaturu pare, te ima visoku toplinsku provodljivost i nisku toplinsku ekspanziju, ima dobru toplinsku otpornost na šok.